Apa perbedaan antara transistor NPN dan PNP?

Misalkan saya tahu cara kerja transistor NPN .

Seberapa berbeda transistor PNP? Apa perbedaan operasional antara PNP dan NPN?

transistors bjt pnp

— Denilson Sa Maia
sumber

@Federico - Apa yang membuat Anda percaya bahwa Denilson ingin mengetahui perbedaan fisik? Karena dia menerima jawaban apa adanya dan terkait dengan pertanyaan lain tentang karakteristik operasional, saya sampai pada kesimpulan yang sama dengan Kortuk : Anda telah mengubah arti pertanyaan itu. Suntingan tidak boleh digunakan untuk membajak utas, sebagai gantinya, edit untuk memperjelas arti pos tanpa mengubahnya .

— Kevin Vermeer

@Kevin Vermeer: Ini sangat sesuai dengan judulnya, yang menanyakan apa perbedaannya. Denilson juga menanyakan dalam pertanyaan apa perbedaan operasionalnya, dan jawaban yang diterima hanya berbicara tentang bagaimana menghubungkan. Jika ada perbedaan lain saya pikir mereka harus menjadi jawaban untuk pertanyaan ini.

— Federico Russo

@Kevin Vermeer: Saya juga ingin menghindari pertanyaan baru yang akan ditutup sebagai duplikat yang tepat, karena itulah yang akan terjadi jika saya bertanya.

— Federico Russo

@Kevin - Saya membaca tambahan Federico dan saya setuju dengannya bahwa itu tidak mengubah maksud pertanyaan. "Perbedaan karakteristik" (FR) adalah bagian dari "perbedaan operasional" (DS). Saya pikir itu harus Denilson untuk memutuskan kemunduran.

— stevenvh

@stevenvh, itu pasti tidak sesuai dengan apa yang poster mungkin maksudkan berdasarkan jawaban apa yang diterima. Anda benar, kita perlu OP untuk mempertimbangkan. Setiap komentar yang dimasukkan di sini adalah menandai dia.

— Kortuk

Jawaban:

Transistor PNP bekerja dengan cara yang sama seperti NPN tetapi semua voltase dan arus dibalik. Anda menghubungkan emitor ke potensial yang lebih tinggi, sumber arus dari pangkalan dan arus utama mengalir ke emitor dan kemudian keluar melalui kolektor.

$V_\rm{BE}$ akan menjadi tetapi besarnya harus sama di PNP dan NPN jika Anda menggunakan bagian yang saling melengkapi. $-0.7\,\rm{V}$

— jpc
sumber

Apa yang Anda uraikan pada paragraf pertama adalah transistor PNP, yang tidak Anda katakan. Ini juga tidak menjawab pertanyaan karena itu lebih banyak tentang fisika perangkat. Anda tidak pernah menjelaskan operator mayoritas, lubang, dll.

— Olin Lathrop

@OlinLathrop, Anda dapat mengedit untuk meningkatkan pertanyaan tetapi berdasarkan jawaban yang diterima OP terutama tertarik pada perbedaan operasional.

— Kortuk

@ OlinLathrop, saya mencoba meningkatkan keterbacaan jawaban saya. Seperti yang dikatakan Kortuk, saya tidak percaya OP tertarik pada fisika sama sekali.

— jpc

Saya melihat pertanyaannya telah berubah dalam waktu yang berarti, atau mungkin itu digabung. Pertanyaan asli yang saya lihat memang menanyakan tentang fisika dan secara khusus menyebutkan pembawa dan lubang mayoritas.

— Olin Lathrop

@Olin Saya telah memeriksa riwayat sunting dan sepertinya pertanyaan yang diperluas yang Anda lihat adalah karena penambahan oleh seseorang yang tidak terkait dengan OP.

— jpc

Transistor NPN dan PNP berbeda. Elektron lebih mobile daripada Lubang. Artinya PNP tidak sebagus NPN. Untuk Si BJT, tipe PNP berada di belakang ketika datang ke tegangan rusak dan daya sangat tinggi. Untuk perangkat keperluan umum seperti BC337 / BC327 hal untuk semua maksud dan tujuan adalah sama, tetapi jika Anda ingin melakukan SMPS offline, itu tidak mudah atau praktis pada 1KW. Untuk germanium, NPN seharusnya lebih baik tetapi tidak. Ini karena masalah manufaktur. AC127 tidak sebagus AC128 dan AD161 tidak sebagus AD162 dan ya perangkat ini dijual sebagai pasangan yang cocok. Rasio mobilitas elektron terhadap lubang adalah faktor penentu seberapa dekat PNP akan dengan NPN. Ini jauh lebih buruk untuk SiC sehingga orang akan mengharapkan PNT BJT yang jelek sehingga mereka mungkin tidak akan repot membuatnya. Untuk beberapa alasan PNP memiliki noise yang lebih rendah sehingga mereka disukai di tahap input pasangan yang berbeda. Banyaknya chip driver highside adalah bukti bahwa PNP tidak sebagus NPN.

— Autis
sumber

+1 untuk menyoroti perbedaan dalam mobilitas antara elektron dan lubang. Lubang bukanlah "setara positif" dari elektron bebas. Untuk orang-orang yang bingung dengan komentar ini, silakan lihat lebih lanjut di sini electronics.stackexchange.com/questions/199347/…

— akhmed

Satu-satunya perbedaan terletak pada fungsi transistor. Dalam konfigurasi emitor yang dibumikan (umum), ketika arus basis disediakan (atau lebih praktis-ketika basis terhubung ke suplai 5v) dari transistor PNP, tidak ada konduksi yang terjadi karena pembawa mayoritas di n wilayah adalah elektron yang gerakannya adalah ditekan dan tidak ada jalur yang dibentuk oleh emitor dan kolektor. Dengan demikian tidak ada o / p yang diperoleh di persimpangan emitor. Jika arus basis dilepaskan dari transistor, jalur virtual terbentuk oleh emitor dan kolektor yang menawarkan resistensi tertentu terhadap aliran elektron yang kemudian diubah oleh arus basis (atau tegangan). Jika dalam kasus seperti itu, Vcc terhubung langsung ke kolektor dan emitor di-ground melalui resistansi (mungkin 10k), maka Vcc mendapat jalur langsung untuk muncul di persimpangan emitor. Jadi jika o / p diambil pada emitor dalam kasus PNP, konfigurasi adalah inverter sementara pada kolektor, transistor berfungsi sebagai saklar atau penyangga sederhana. (Ini persis kebalikan dari konfigurasi NPN.) Karena kelangkaan tertentu perangkat lunak simulasi, saya tidak dapat menampilkan tampilan gambar. Tetapi saya berharap ini akan melayani tujuan.

— Nvade
sumber