Apa arti "dV / dt" untuk TRIACs?

Ini mungkin jelas, tetapi karena saya masih belum memiliki pendidikan teknik, saya mengalami masalah ini:

Apa arti dV / dt ? Apa pengaruhnya pada TRIAC?

$I_H$$I_H$

dV / dt adalah turunan dari tegangan sehubungan dengan waktu. Dengan kata lain, perubahan tegangan (delta V, atau ΔV) dibagi dengan perubahan waktu (delta t, atau Δt), atau laju perubahan tegangan dari waktu ke waktu.

$y = x^2$

$\Delta y/\Delta x$

Dibawa ke perubahan yang sangat kecil, secara matematis itu akan "diganti namanya" menjadi dy / dx. Ia bahkan dapat dibuktikan secara aljabar dengan menambahkan dy dan dx ke formula asli: -

$y + dy = (x + dx)^2$

$y + dy = x^2 +2xdx +dx^2$

$x^2$

$dy = 2xdx + dx^2$

$dx$$dx^2$

$\dfrac{dy}{dx} = 2x$

$y = x^2$

Dalam hal perubahan tegangan dengan waktu, itu adalah dv / dt. Ini memiliki arti penting untuk triac dan MOSFET dan dapat menyebabkan perangkat tersebut untuk memicu atau mengaktifkan sebagian jika tingkat perubahan tegangan dengan waktu terlalu besar.

$\frac{\Delta v}{\Delta t}$

Tapi apa hubungannya dengan TRIAC? Triacs, seperti Thyristors / SCR's dapat di-gated jika ada dv / dt tinggi di seluruh perangkat

http://class.ece.iastate.edu/ee330/miscHandouts/AN_GOLDEN_RULES.pdf

Ini kemungkinan besar terjadi ketika menggerakkan beban yang sangat reaktif di mana ada pergeseran fasa yang substansial antara tegangan beban dan bentuk gelombang saat ini. Ketika triac berganti ketika arus beban melewati nol, tegangan tidak akan nol karena pergeseran fasa (lihat Gambar 6). Triac kemudian tiba-tiba diperlukan untuk memblokir tegangan ini. Tingkat perubahan tegangan komutasi yang dihasilkan dapat memaksa triac kembali ke konduksi jika melebihi dVCOM / dt yang diizinkan. Ini karena operator pengisian daya ponsel belum diberi waktu untuk menghapus persimpangan.

Dv / dt adalah ekspresi untuk muatan yang disuntikkan ke internal Triac (silikon); mekanisme energi Q = C * V, ketika kita membuat perubahan bertahap dan melihat apa yang terjadi, menjadi dQ / dT = C * dV / dT + V * dC / dT. Setelah memilih untuk mengabaikan bagian ke-2, dan mengenali arus = dQ / dT, kita dibiarkan

karenanya kami menemukan tingkat perubahan tegangan yang tinggi akan memicu Triac.

Injeksi muatan dV / dT juga membuat FET berisiko. Kecuali jika ada cukup kontak Sumber dan kontak Sumur, maka biaya akan mengejar SEMUA JALAN YANG MUNGKIN; crowding saat ini ke dalam kontak dapat menyebabkan I * R turun cukup besar untuk menghidupkan sambungan basis-emiter dari bipolar parasit, dalam hal ini bipolar menambah arus yang mengalir. Dalam banyak kasus, hal itu menghasilkan Gain> 1 umpan balik positif, dan FET / bipolar mencoba untuk melepaskan seluruh jaringan penyimpanan biaya VDD ke ZERO VOLTS. Dengan upaya belaka itu, silikon dan aluminium meleleh.

Bagaimana cara menghindarinya? Rancang kontak Sumber dan Sumur untuk tugas pengisian sementara, bukan hanya untuk kontrol kebocoran DC.

Berikut ini adalah mikrophotograf tegangan tinggi dalam kondisi transien (1 volt per nanodetik), dengan muatan yang kemudian berkerumun di sekitar Kontak Sumur.